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高通推出快充4+技术 充电提速15%温度降低3度

导读: 据外媒6月1日报道,高通公司今日推出了升级版的快充4+,采用快充4+技术的设备温度可降低3度,充电可提速15%,效率高出30%。

据外媒6月1日报道,高通公司今日推出了升级版的快充4+,采用快充4+技术的设备温度可降低3度,充电可提速15%,效率高出30%。

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高通公司是骁龙835处理器的制造商,该公司长期致力于开发低耗、快充技术。去年11月,公司推出了快充4技术,充电5分钟,可用5小时。与此前的充电系统相比,充电速度提高20%,效率提升30%。

新快充4+主要有三大改进功能:双充功能,智能热平衡和高级安全功能。双充装置内置一个电源管理集成芯片,可以将电流分成两半,使芯片散热速度加快,减少充电所需时间。智能热平衡功能能够自动让电流选择双充中温度较低的路径,让设备在快速充电的同时保持低温。快充4+还能够同时监测手机外壳和连接器的温度,避免Type-C连接器过热和损坏。

但是,目前设备不支持通过一个简单的软件更新,就享受到最新技术带来的福利。这就意味着新的快充4+很有可能只是替代即将推出的智能手机中的快充4技术。

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