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碾压联发科!高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺

导读: 据业内人士@草Grass草透露, 2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程,并开始向4系渗透 ,对联发科形成全面包围之势。

2月26日,联发科在MWC2018上发布了Helio P60,它基于台积电12nmFinFET工艺打造,采用4颗Cortex A73大核+4颗Cortex A53小核组成,CPU最高频率为2.0GHz,GPU为Mali-G72 MP3,频率为800MHz。

碾压联发科!高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺

它最高支持8GB LPDDR4X内存,闪存最高支持UFS 2.1。

从规格不难看出,联发科Helio P60定位中端,其对标的是高通骁龙6系芯片。不过对于高通来说,联发科似乎并没有对其构成威胁。

据业内人士@草Grass草透露, 2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程,并开始向4系渗透 ,对联发科形成全面包围之势。

这次升级,不仅使高通骁龙6系芯片性能有所提升,功耗、发热控制也会更加优秀,届时对联发科Helio P60带来不小的压力。

根据此前曝光的消息, 高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程,其CPU内核将会以big.LITTLE架构的形式呈现。

它有2颗高端定制Cortes A-75内核,用Kryo 300 Gol架构搭建;还有6颗低端定制Cortex A-55内核,用Kryo 300 Silver架构搭建。低端内核最高时钟速度约为1.7GHz,高端内核可达2.6GHz。

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