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三星与谷歌签署协议 合作生产3D NAND 闪存

2015-04-02 09:53
九一隐士
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  据科技资讯网站ZDNet 4月1日报道,韩国三星电子日前已与谷歌签署生产3D NAND固态硬盘的协定,业界认为此举是三星对抗全球固态硬盘生产商的重大举措。

  据知情人士透露,此项合约价值“相当巨大”,但具体数额尚不清楚。这位匿名人士还表示,“此项合约规定三星应为谷歌数据中心供应3D NAND固态硬盘。三星正与谷歌就保证出货量及价格等存在小分歧的细节进行商谈。”

  《韩国时报》报道称,三星拒绝对此事置评,同时报社未能联系到谷歌。三星的3D NAND固态硬盘制造工厂设在中国西安,预计今年3D NAND芯片出货量将达到96万,2014年为48万。

  三星公司始终是3D NAND芯片行业的佼佼者,近年来,该公司发布了几代3D NAND芯片,其中包括2013年8月首次公开发布的企业级3D V-NAND NAND芯片。

  然而就在本周早些时候,英特尔和美国镁光科技宣布了生产3D NAND芯片的计划,该芯片采用了浮栈存储单元的创新工艺架构技术,扩展了针对闪存的摩尔定律的功效,从而使密度获得高于现存产品3倍的显着提升。两公司称预计该芯片将于今年第四季度全面投产。

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