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搭上5G顺风车 纯CMOS新工艺大展身手

2015-08-18 15:18
蓝林笑生
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  纯CMOS新工艺应对5G通信应用

  5G通信是当前业界的热门话题之一。虽然目前5G通信标准尚未确定,但共识之一是天线方式将从基站的播放式向共振的有源天线方式转变,这要求将功率放大器的效率提高至60%以上,以实现带宽、效率和工作频率的大幅跃升。

  在现有的RF射频前端模组(FEM)方案中,通常是把PA功率放大器、LNA低噪声放大器和天线开关等多个分立电路拼接在一个介电基板或封装引线框架上,采用GaAs(砷化镓) HBT或SiGe(硅锗) BiCMOS制造工艺将这些器件结合在一个模块内;此外,也有厂商推出了采用纯CMOS技术的集成式方案。

  而要想进一步提升功率放大器的效率,引入新材料、新工艺是关键。对于未来发展,Qorvo方面认为,GaN PA功率放大器可能会是较好的选择之一。熊挺认为,与GaAs或硅器件相比,GaN器件特别适合在高频率下工作的高功率应用,它在保持足够低温和正常工作上提供了众多独特的优势,尤其是可在更高的温度下保证可靠的运行,对于给定的温度参数可实现高出几个量级的寿命。而根据行业调研机构Yole Development的分析,GaN器件市场未来六年内预期将实现从1000万美元到6亿美元的增长幅度。

  另据悉,为了实现更大规模量产,进一步降低成本,Qorvo正准备在已有的北京制造工厂的基础上继续追加投资,筹备建立第二个制造工厂。

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