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三星和台积电偷笑:就算Intel技术牛又奈我何?

2016-03-04 00:21
老猫
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  过去几年时间里,英特尔虽然在桌面领域仍过着“无敌是多么空虚”的日子,但是围绕其芯片制造技术的话题讨论越来越多了,特别是与很多开始被人熟知的芯片制造厂商相比,比如台湾的芯片制造商台积电。

  很多话题讨论的开始,均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的升级。最初,台积电和三星明确表示,将以最快的速度从“20纳米”过渡的“14/16纳米”,而且将会重点发展称之为“FinFET”的晶体管结构器件,重点宣传新工艺相比传统而言芯片面积将得到大幅缩减,适配每一代工艺制程。

  另一方面,当时英特尔也正处于22纳米工艺技术到14纳米的过渡中,并且英特尔也掌握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件技术。不过,英特尔的动作太慢了,导致三星和台积电各自挑衅称,其16和14纳米已经领先英特尔,而英特尔仍无法完全脱离22纳米的工艺制程,并且还有事实证明,台积电的20纳米工艺的晶体管密度比英特尔的22纳米更高。

  英特尔从22纳米过渡到14纳米的时间实在过漫长,这点不假,而且英特尔也意识到了,在工艺制程技术同步发展的过程中,晶体管密度的竞争相当重要。事实上,面对民间乃至业界广为谈论的误导性话题,英特尔并没有刻意的做任何回应,但当英特尔正式公布自家14纳米技术时,才真正确定了不可动摇的领先地位。

  下图为英特尔官方提供的逻辑面积比例图:

  从这个英特尔的图来看,英特尔承认自家的32纳米不如28纳米工艺,主要是指栅极与栅极之间的间距前者不如后者。再到22纳米与20纳米工艺的对比,结果亦是如此。不过,确实只有在14纳米和16纳米工艺节点,才超过了其余竞争对手,确立起领先的地位。

  所以,三星和台积电所说的都是事实,这两大越来越出色的芯片代工厂在20纳米制程时代确是领先于英特尔22纳米。但不可否认英特尔新一代14纳米更为出色,至少晶体管密度的优势上超过了其他对手的14/16纳米工艺节点。

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