中国先进芯片取得突破，台积电突获无限期豁免，压制中国芯

2024-05-26 11:40

5月23日台积电突然宣布，美国商务部已给予台积电南京工厂“无限期豁免”，即是允许台积电南京工厂购买海外的先进光刻机等设备，此举被认为意在压制中国芯片。

2020年台积电被迫暂停为中国一家芯片企业代工生产芯片，从那之后多家中国芯片企业无法将芯片交给台积电以7纳米以及更先进工艺生产。

3年后的2023年中国这家芯片企业成功生产出接近7纳米工艺的5G芯片，重新推出5G手机，这意味着中国芯片已解决了先进工艺的技术问题，以现有的光刻机生产出接近7纳米的工艺。

如此美国试图压制中国先进芯片的发展已经失败，面对中国芯片的发展，美国允许台积电南京工厂购买先进光刻机等设备，无疑就是为了借台积电之手，压制中国芯片制造技术的发展。

台积电拥有最先进的工艺，目前已经量产3纳米，但是此前台积电南京工厂的最先进工艺仅为16纳米，远比台积电在中国台湾的工厂落后，如此就导致中国的芯片企业大多将订单交给中国大陆的芯片制造企业。

中国大陆的芯片制造企业获得了更多收入，就有了更多资金研发先进工艺，这几年中国的芯片制造企业从全球猎挖人才，其中台积电前技术负责人梁孟松就已在中芯国际担任联席CEO，加快了中国芯片制造技术的发展。

此时美国允许台积电南京工厂购买先进光刻机等设备，台积电南京工厂可望迅速量产7纳米等先进工艺，由于台积电的7纳米工艺更成熟、技术更先进，如此可以抢走中国大陆芯片企业的订单，减缓中国芯片制造技术的发展。

如此做法，在存储芯片行业就曾做过，并取得了成功。2022年中国的存储芯片率先量产了全球最先进的232层NAND flash，随后美国限制这些存储芯片企业采购先进设备，同时允许三星和SK海力士在中国大陆的工厂采购先进设备。

一年时间过去，2023年三星和SK海力士量产了更先进的300层NAND flash芯片，而中国的存储芯片还停留在232层，由此三星、SK海力士和美光等取得了存储芯片的技术优势，而且他们本来就在存储芯片市场占有七成以上的份额，技术和市场的双重压制，让中国存储芯片承受了巨大的压力。

如今在芯片制造方面，美国的做法无疑是故技重施，即是让台积电在中国大陆的工厂量产更先进的工艺，抢走中国芯片的订单，让中国大陆的芯片企业获得的收入减少，自然就会放缓芯片制造技术的发展。

不过有了此前的教训，美国的图谋恐怕很难实现，中国芯片行业已深刻认识到台积电的不可靠，只有中国大陆自己的芯片制造企业才更可信，即使台积电南京工厂量产更先进的工艺，恐怕台积电也很难取得太多的订单，中国的芯片企业只会更加齐心协力，共同发展。

原文标题 : 中国先进芯片取得突破，台积电突获无限期豁免，压制中国芯

声明： 本文由入驻维科号的作者撰写，观点仅代表作者本人，不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题，请联系举报。

共0条评论，0人参与

登录登录即可访问所有OFweek服务

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

暂无评论

图片新闻