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台积电2nm芯片研发获得重大突破,有望2023年推出

近日,据台湾经济日报报道,台积电已经在2nm工艺取得重大突破,业界人士预计,2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。

据媒体报道透露,台积电2nm采用全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,区别于以往3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,目前研发已取得重大突破,有望于2023下半年年推出。

此前台积电5nm已经量产,3nm预计2022年量产,如今2nm研发现取得重大突破,并有望量产。

去年6月,台积电正式宣布启动2nm工艺的研发,为此特别成立了专案研发团队。并在此期间解决了制程微缩所产生的电流控制漏电等物理极限问题,台积电的纳米片堆叠技术也取得了不小的进步。

2nm芯片的研发工艺成本也是惊人的,据公开消息显示,台积电的2nm工艺制程成本将超过6亿美元。

前不久,台积电总裁魏哲家接受采访时指出,台积电制程每前进一个世代,客户产品速度效能增加30%至40%,功耗可以降低20%至30%。

长久以来,半导体制造业三大巨头企业台积电,与英特尔、三星,在芯片制程逐渐缩小的路上,拼命追赶。

英特尔坚持在14nm,10nm制程上的研发之时,三星和台积电已经把5nm量产提上了日程,目前公开称有5nm芯片制造能力的只有台积电和三星两家。

台积电在2nm研发上切入全环栅场效应晶体管GAA时,三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时,就宣布从FinFET转向GAA,并对外喊话称:2030年要超过台积电,取得全球芯片代工龙头地位。

如今,三星听闻此消息估计要失望了。

据悉,目前台积电正在和苹果CEO库克讨论深入的合作机会,未来iPhone有望成为第一个搭载2nm芯片的手机品牌。

对此,市场人士分析,台积电新研发的2nm有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单,狠甩三星。

眼看着这些芯片代工企业一步步实现技术突破,技术上遥遥领先,大陆芯片企业只能干瞪眼。

目前,中芯国际的14nm生产线良品率远不及台积电,华为的28nm生产线还只是处于筹备阶段。苹果、三星不断增加芯片订单,抢食华为高端手机市场,而华为却面临无芯可用的局面,高端手机市场也只能拱手于人。


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