GaN
氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
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QORVO凭借行业首款28 GHZ GAN前端模块增强其5G领先优势
2018年12月13日，移动应用、基础设施与航空航天应用RF解决方案的领先供应商Qorvo®凭借行业首款28 Ghz氮化镓（GaN）前端模块（FEM） －－－ QPF4001 FEM，扩大了其5G业务范围。
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