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麒麟950亮相:16nm FinFET plus工艺 Mate 8或将搭载

2015-11-05 16:24
来源: C114

  华为麒麟芯片家族最新一代手机SoC芯片麒麟950今日在北京首次亮相,麒麟950采用了业界领先的16nmFinFETplus工艺、全新4*A72+4*A53big.LITTLE架构、全新MaliT880图形处理器,实现了能效比的新突破。

  华为海思CTO艾伟表示,麒麟950是业界首款商用TSMC16nmFinFETplus技术的SoC芯片;相比28HPM工艺性能提升65%,同时节省了70%的功耗;相比20SoC工艺性能提升40%,功耗节省60%。在4G+时代,麒麟芯片将持续推动提升基于4G网络的用户体验。

  另据了解,华为最新旗舰手机Mate8将于11月26日发布。据悉,Mate8很可能将搭载最新发布的麒麟950芯片。

  全新架构+尖端工艺:性能提升40%,功耗节省60%

  麒麟950全面重新设计了芯片架构,使芯片的性能与功耗都得到了大幅提升。麒麟950率先采用性能与功耗优势兼具的16nmFinFETplus尖端工艺,是业界首款商用TSMC16nmFinFETplus技术的SoC芯片;TSMC16nmFinFETPlus技术相比28HPM工艺性能提升65%,同时节省了70%的功耗;相比20SoC工艺,性能提升40%,功耗节省60%。

  而长期以来,16nmFinFETplus的商用都面临巨大挑战——单芯片集成的晶体管数目从20亿个增加到30亿个,金属互联难度成倍提升;晶体管结构3D化后,工艺复杂度大幅增加。“为实现商用,麒麟芯片研发团队克服了大量工程上的难题。”据艾伟介绍,麒麟芯片团队从2013年底就开始与TSMC等合作伙伴紧密合作,共同推动了16nm先进工艺的量产成熟,并于2014年4月实现业界首次投片,2015年1月实现量产投片。

  采用了业界首个4*A72+4*A53big.LITTLE架构设计及全新一代MaliT880图形处理器,麒麟950在性能上实现了新的突破。全新的ARMCortexA72核心相比A57性能提升11%的同时,功耗降低20%,能效比综合提升30%;全新的GPUARMMaliT880比上一代,图形生成能力提升100%,GFLOPS提升100%;此外,新架构中还包括全新的LPDDR4、新的GIC500、新系统总线以及FBC技术应用,使得麒麟950具备更强大的硬件性能基础。

  关注用户痛点:快速响应不卡顿、续航增加近10小时

  对于需求不断提高的用户而言,他们更在意的是实际性能体验。艾伟指出,经过研究发现,快速响应和流畅不卡顿是影响用户体验感知的两个关键因素。其中,快速响应的体验取决于芯片系统的Boost性能,而流畅不卡顿的体验则取决于芯片系统的持续性能。为此,麒麟芯片团队针对Boost性能和持续性能进行了深入的优化,用户触发操作时做到100毫秒内响应,给用户带来快速响应的体验;一般工作状态下,确保每一帧绘图在1/60秒内完成,实现流畅不卡顿的体验。

  在强劲的硬件性能基础上,麒麟950通过启发式智能调度算法(HSA,HeuristicSchedulingAlgorithm),对系统进行精细调校,解决安卓系统原生的问题,满足系统的两种性能需求——“遇到需要Boost的地方,提前准确预判,完成后迅速收回;一般场景最精准性能预测,不积累额外的热量。麒麟950Boost性能相比前代提升100%,持续性能相比前代提升56%。”艾伟表示,麒麟950不断追求更高的能效比,用户体验提升的同时,续航时间大大增加,普通用户续航时间较前代增加10个小时,达到2天。

  同时,麒麟950拥有全新升级的智能感知处理器i5,i5采用了最新的M7核心,性能相比M3提升4倍,是目前业界性能最强的协处理器。作为麒麟950创新的大小微核架构的一部分,智核i5可以与大核A72、小核A53协同共享资源,由主系统进行智能调度,在需要主CPU工作的场景下,处于常感知状态下的i5能够迅速唤醒主CPU,大大缩短主CPU启动时间。i5能够以极低的功耗,使手机处于AlwaysSensing(常感知)的状态,即便手机处于睡眠模式,i5仍然可以持续收集来自各种传感器的数据信息,其所消耗的电量却远远低于主CPU。

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